GS2M1000170J
SiC MOSFET 型号GS2M1000170J ,V（ds）=1700V，导通电阻R（dson）=650mΩ，I（ds）=5A ，TO-63-7封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
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产品特点
产品优势
产品应用
产品描述
SiC MOSFET 型号GS2M1000170J ,V（ds）=1700V，导通电阻R（dson）=650mΩ，I（ds）=5A ，TO-63-7封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
产品特点
1
耐高压，低导通电阻
2
高速开关，低电容
3
易于并联，驱动简单
4
符合RoHS标准
产品优势
1
更低损耗
2
更高可靠性
3
更高结温
4
提高系统功率密度
5
降低冷却要求
应用领域
