H3D30120D
SiC肖特基二极管 型号H3D30120D，反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=15A，TO-247-3L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
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产品特点
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产品描述
SiC肖特基二极管 型号H3D30120D，反向电压V（rrm）=1200V，平均正向电流I（f）=15A，TO-247-3L封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。
产品特点
1
先进的MPS结构设计，抗浪涌电流能力强
2
零反向恢复电流，工作频率高
3
正向压降正温度系数，易于并联
4
6英寸薄片工艺，芯片厚度100μm，热阻低，散热好
5
最高工作结温175℃
应用领域
