GS3M0035120D-SiC MOSFET-深圳市国微三代半导体技术有限公司

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GS3M0035120D

V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=82mΩ，I（ds）=31A ，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

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产品描述

V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=82mΩ，I（ds）=31A ，TO-247-3封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

应用领域

16842003929128038

16842003425888654

16842002524707378

16842004477637003