GS3M0035120J-SiC MOSFET-深圳市国微三代半导体技术有限公司

典型产品介绍 SiC肖特基二极管 SiC MOSFET SiC模块 SiC芯片

首页产品中心 SiC MOSFET

GS3M0035120J

V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=31mΩ，I（ds）=82A ，TO-263-7封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

产品详情

产品描述

产品特点

产品优势

产品应用

产品描述

V（ds）=1200V，导通电阻R（dson）=31mΩ，I（ds）=82A ，TO-263-7封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

产品特点

1

耐高压，低导通电阻

2

高速开关，低电容

3

易于并联，驱动简单

4

符合RoHS标准

产品优势

1

更低损耗

2

更高可靠性

3

提高系统功率密度

应用领域

16842003929128038

16842003425888654

16842002524707378

16842004477637003