GS2M1000170J-SiC MOSFET-深圳市国微三代半导体技术有限公司

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GS2M1000170J

V（ds）=1700V，I（ds）=8A ，导通电阻R（dson）=575mΩ，TO-263-7封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

产品详情

产品描述

产品特点

产品优势

产品应用

产品描述

V（ds）=1700V，I（ds）=8A ，导通电阻R（dson）=575mΩ，TO-263-7封装，主要应用于光伏储能、电动汽车、工业控制、轨道交通、智能电网等领域。

产品特点

1

高速开关，低电容

2

易于并联，驱动简单

3

符合RoHS标准

4

耐高压

产品优势

1

更低损耗

2

更高可靠性

3

提高系统功率密度

应用领域

16842003929128038

16842003425888654

16842002524707378

16842004477637003